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通俗易懂的晶振專業(yè)術(shù)語解釋

想要了解一個行業(yè),就要對其產(chǎn)品的術(shù)語要有所了解,各行各業(yè)都要自己專業(yè)術(shù)語,石英晶振也不例外;了解晶振術(shù)語對晶振采購和選型有很大幫助;下面晶晟電子簡單的解釋晶振術(shù)語:
  
標(biāo)稱頻率:晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率,通常標(biāo)識在產(chǎn)品外殼上。
  
工作頻率:晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
  
調(diào)整頻差:在規(guī)定條件下,基準溫度(25±2℃)時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。
  
溫度頻差:在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準溫度(25±2℃)時工作頻率的允許偏差。
  
老化率:在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。(具體可查看YXC揚興官網(wǎng)《晶振老化,你說咋辦呢?》的相關(guān)介紹)。
  
靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。
  
負載電容:與晶體一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示。
負載電容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
只要可能就應(yīng)選推薦值:10PF、20PF、30PF。
  
負載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負載電容時,負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個,在并聯(lián)負載電容時,則是兩個頻率中較高的一個。
  
動態(tài)電阻:串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
  
負載諧振電阻:在負載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
RL=R1(1+C0/CL)2
  
激勵電平:晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有:2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
  
基頻:在振動模式最低階次的振動頻率。
  

泛音:晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。

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